北京开关三极管_ 天盛微电子 _北京开关三极管经销商

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选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册。三极管的参数很多例如：ICM、BVCEO 等，可满足95以上的使用需要。

1. ICM是集电极允许电流。三极管工作时当它的集电极电流**过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不**过允许值时的集电极电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC**过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。

2. BVCEO是三极管基较开路时，集电极-发射较反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射较之间的电压**过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成损坏或性能下降。

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晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用较多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射较e、基较b和集电极c。当b点电位**e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位**b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要**基较电源Ebo。

在制造三极管时，北京开关三极管报价，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）较基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射较电流Ie。